Skip to main content
19 апреля, 2024
$ 93.44
99.58

Российские ученые придумали, как заменить аккумуляторы «микроэлектростанциями»

05 апреля, 2021, 10:31
У разработанного специалистами метода на данный момент нет аналогов.
Уникальный в своем роде нанокомпозит, созданный на основе кремния, разработала группа ученых из Национального исследовательского технологического университета «МИСиС» (НИТУ «МИСиС») и их коллеги из Российской академии наук. Специалисты отметили, что данная разработка ускорит развитие технологии «микроэлектростанций», которые размещаются в печатных платах электроники. Результаты исследования были опубликованы в научном журнале Microporous and Mesoporous Materials.

По словам авторов работы, структуры из пористого кремния в последнее время очень активно применяются в микроэлектронике и биомедицине. Одно из самых важных их свойств — плавное распределение по всему материалу пор разных размеров. Например, в медицине мембраны из пористого кремния играют роль фильтров. В переносной электронике их применяют в качестве электродов для микротопливных элементов.

Ученые предложили метод создания многослойных графеновых покрытий на внутренних стенках пор по всей глубине кремниевой структуры, который не имеет аналогов. По их словам, других способов производства электродов для эффективных микротопливных элементов на данный момент нет. Источники тока такого рода способны обеспечить длительное резервное питание техники и в перспективе заменить аккумуляторы.

Для их создания специалисты использовали газофазное химическое осаждение из паров спирта. Предложенный учеными метод отличается использованием режима «резкого перепада давления» в рабочей камере, а это в свою очередь обеспечивает осаждение графена даже в слоях с замкнутыми нанопорами.

Ранее ученые теоретически и экспериментально исследовали новый высокотемпературный сверхпроводник — гидрид иттрия (YH6). По словам авторов работы, гидриды иттрия входят в ТОП-3 самых высокотемпературных сверхпроводников из тех, что известны науке сейчас. Данные вещества достигают своих максимальных значений температуры сверхпроводимости при высоких давлениях.


";